绝对最大额定值
（注1 ）
存储温度范围
b
65℃，以
a
165 C
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压
共模电压范围
差分输入电压
开启电压
输出灌电流
在25℃时最大功率耗散
腔体套餐
模压DIP封装
SO封装DS26LS32
DS26LS32A
7V
g
25V
g
25V
引线温度（焊接4秒）
260 C
工作条件
民
电源电压（V
CC
)
DS26LS32M DS26LS33M
（ MIL ）
DS26LS32C DS26LS33C
DS26LS32AC DS26LS33AC
计划（CoML ）
温度（T
A
)
DS26LS32M DS26LS33M
（ MIL ）
DS26LS32C DS26LS33C
DS26LS32AC DS26LS33AC
计划（CoML ）
45
4 75
最大
55
5 25
单位
V
V
7V
50毫安
1433毫瓦
1362毫瓦
1002毫瓦
1051毫瓦
b
55
a
125
a
70
C
C
减免腔封装9 6毫瓦C以上25°C减免成型DIP封装
109毫瓦C以上25°C
减免SO封装8 01毫瓦下DS26LS32
8 41毫瓦下DS26LS32A
0
电气特性
在工作温度范围内，除非另有说明（注释2
符号
V
TH
参数
差分输入
电压
输入阻抗
输入电流（在
测试）
输出高电压
V
OUT
e
V
OH
或V
OL
条件
DS26LS32 DS26LS32A
b
7V
s
V
CM
s
a
7V
DS26LS33 DS26LS33A
b
15V
s
V
CM
a
15V
民
b
0 2
b
0 5
图3和4 ）
单位
V
V
kX
典型值
g
0 07
g
0 14
最大
02
05
R
IN
I
IN
b
15V
s
V
CM
s
a
15V （单输入AC GND）
60
85
23
b
2 8
V
IN
e
15V输入其它
b
15V
s
V
IN
s
a
15V
V
IN
E B
15V输入其它
b
15V
s
V
IN
s
a
15V
V
CC
e
民
DV
IN
e
1V
V
启用
e
0 8V我
OH
E B
440
mA
V
CC
e
民
DV
IN
E B
1V
V
启用
e
0 8V
广告
军事
I
OL
e
4毫安
I
OL
e
8毫安
27
25
42
42
mA
mA
V
V
V
OH
V
OL
输出低电压
04
0 45
08
20
V
V
V
V
V
IL
V
IH
V
I
I
O
启用低电压
使高压
启用钳
电压
关断状态（高
阻抗）输出
当前
使低电流
使大电流
输出短路
当前
电源
当前
输入高电流
输入滞后
V
CC
e
闵我
IN
E B
18毫安
V
CC
e
最大
V
O
e
2 4V
V
O
e
0 4V
V
IN
e
0 4V
V
IN
e
2 7V
V
O
e
0V V
CC
e
最大
DV
IN
e
1V
V
CC
e
马克斯所有V
IN
e
GND
输出禁用
V
IN
e
5 5V
T
A
e
25℃ V
CC
e
5V
V
CM
e
0V
DS26LS32 DS26S32A
DS26LS33 DS26LS33A
100
200
DS26LS32 DS26LS32A
DS26LS33 DS26LS33A
b
15
b
1 5
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mV
mV
20
b
20
b
0 36
I
IL
I
IH
I
SC
I
CC
20
b
85
52
57
70
80
100
I
I
V
HYST
注1
'绝对最大额定值''是这些值超出该设备的安全性不能保证它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行的'电气特性''下表提供了器件的实际操作情况
注2
所有电流为器件引脚均显示为阳性的所有电流超出器件引脚都显示为阴性所有电压以地为参考，除非
特别说明显示为最大或最小的所有值都这么分类的绝对值基础
注3
所有典型值是V
CC
e
5V牛逼
A
e
25 C
注4
只有一个输出在时间应短
HTTP
WWW国家COM
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
