绝对最大额定值
（注3）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
共模电压范围
差分输入电压
开启电压
输出灌电流
最大功率耗散（注1 ） ，在25℃
腔体套餐
模压DIP封装
SO封装DS26LS32
DS26LS32A
存储温度范围
引线温度（焊接， 4秒）
7V
±
25V
±
25V
7V
50毫安
1433毫瓦
1362毫瓦
1002毫瓦
1051毫瓦
-65˚C到
+165˚C
260˚C
工作条件
民
电源电压（V
CC
)
DS26LS32M ， DS26LS33M
（ MIL ）
DS26LS32C
DS26LS32AC
计划（CoML ）
温度（T
A
)
DS26LS32M ， DS26LS33M
（ MIL ）
DS26LS32C
DS26LS32AC
计划（CoML ）
4.5
4.75
最大
5.5
5.25
单位
V
V
−55
0
+125
+70
˚C
˚C
注1 ：
减免腔封装9.6毫瓦/ C 25℃以上;减免成型DIP
包10.9毫瓦/ C 25℃以上。
注2 ：
减免SO封装8.01毫瓦/ C为DS26LS32
8.41毫瓦/ C为DS26LS32A
电气特性
（注4， 5，6 ）
在工作温度范围内，除非另有说明
符号
V
TH
R
IN
I
IN
V
OH
V
OL
V
IL
V
IH
V
I
I
O
参数
差分输入
电压
输入阻抗
输入电流（在
测试）
输出高电压
输出低电压
启用低电压
使高压
启用钳
电压
关断状态（高
阻抗）输出
当前
I
IL
I
IH
I
SC
I
CC
I
I
V
HYST
使低电流
使大电流
输出短路
当前
电源
当前
输入高电流
输入滞后
V
CC
=最大，所有V
IN
= GND ，
输出禁用
V
IN
= 5.5V
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V,
V
CM
= 0V
DS26LS32 ， DS26LS32A
DS26LS33 ， DS26LS33A
DS26LS32 ， DS26S32A
DS26LS33 ， DS26LS33A
52
57
100
200
70
80
100
mA
mA
µA
mV
mV
V
IN
= 0.4V
V
IN
= 2.7V
V
O
条件
V
OUT
= V
OH
DS26LS32 ， DS26LS32A ， -7V
≤
V
CM
≤
+7V
DS26LS33 ， DS26LS33A ， -15V
≤
V
CM
+15V
或V
OL
民
−0.2
−0.5
6.0
典型值
最大
0.2
0.5
2.3
−2.8
单位
V
V
kΩ
mA
mA
V
V
±
0.07
±
0.14
8.5
−15V
≤
V
CM
≤
+ 15V （单输入AC GND）
V
IN
= 15V ，其他输入-15V
≤
V
IN
≤
+15V
V
IN
= -15V ，其他输入-15V
≤
V
IN
≤
+15V
V
CC
=分钟，
∆V
IN
= 1V,
V
启用
= 0.8V ，我
OH
= −440 µA
V
CC
=分钟，
∆V
IN
= −1V,
V
启用
= 0.8V
广告
军事
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
2.7
2.5
4.2
4.2
0.4
0.45
0.8
V
V
V
V
V
µA
µA
mA
µA
mA
2.0
V
CC
V
=最小，我
IN
= -18毫安
=最大
V
O
= 2.4V
V
O
= 0.4V
−1.5
20
−20
−0.36
20
−15
−85
CC
= 0V, V
CC
=最大，
∆V
IN
= 1V
注3 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表提供了实际设备运行状况。
注4 ：
所有的电流进入器件引脚被显示为阳性，所有电流超出器件引脚被示出为负，各电压参考接地，除非oth-
erwise规定。表现为最大或最小的所有值都这么分类的绝对值基础。
注5 ：
所有典型值是V
CC
= 5V ，T
A
= 25˚C.
注6 ：
只有一个输出在时间应短。
3
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
