绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
陶瓷DIP
-65˚C至+ 175℃
模压DIP
-65˚C至+ 150˚C
焊接温度
陶瓷DIP
（焊接， 30秒）
300˚C
模压DIP和SO封装
（焊接， 10秒）
265˚C
最大功率耗散（注1 ） ，在25℃
腔体套餐
1300毫瓦
模压封装
930毫瓦
SO封装
810毫瓦
-0.5V至7.0V
V
CC
导致潜在的对地
输入电位对地
差分输入电压
输出电位对地
输出灌电流
±
15V
±
15V
-0.5V至+ 5.5V
50毫安
推荐工作
条件
DS9637AM
电源电压（V
CC
)
工作温度（T
A
)
DS9637AC
电源电压（V
CC
)
工作温度（T
A
)
民
4.5
−55
4.75
0
最大
5.5
+125
5.25
+70
单位
V
˚C
V
˚C
注1 ：
减免腔封装8.7毫瓦/ C 25℃以上;减免成型DIP
包7.5毫瓦/ C 25℃以上;减免SO封装， 6.5毫瓦/ C 25℃以上。
电气特性
（注3,4）
在推荐的工作温度和电源电压的范围内，除非另有说明
符号
V
TH
V
TH （R）的
I
I
V
OL
V
OH
I
OS
I
CC
V
HYST
参数
差分输入
阈值电压（注6 ）
差分输入
阈值电压（注7 ）
输入电流
（注8）
输出电压低
输出电压高
输出短路
电流（注5 ）
电源电流
输入滞后
V
CC
=最大，V
I
+ = 0.5V,
V
I
- = GND
V
CM
=
±
7.0V （见曲线）
35
70
50
mA
mV
V
I
= 10V, 0V
≤
V
CC
≤
+5.5V
V
I
= −10V, 0V
≤
V
CC
≤
+5.5V
I
OL
能力= 20 mA ，V
CC
=分钟
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
=分钟
V
O
= 0V, V
CC
=最大
2.5
−40
1.1
−1.6
0.35
3.5
−75
−100
3.25
−3.25
0.5
V
V
mA
mA
−7.0V
≤
V
CM
≤
+7.0V
−0.4
+0.4
V
条件
−7.0V
≤
V
CM
≤
+7.0V
民
−0.2
典型值
最大
+0.2
单位
V
注2 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表提供器件的实际工作情况。
注3 ：
除非另有说明，最小/最大限制横跨-55应用到+ 125℃的温度范围内为DS9637AM和跨越0°C到+ 70°C的范围为
DS9637ASC 。所有标准被定为V
CC
= 5V和T
A
= 25˚C.
注4 ：
所有电流进入器件引脚为正;所有流出来的器件引脚为负。所有电压都以地为参考，除非另有说明。
注5 ：
只有一个输出在时间应短。
注6 ：
V
差异
（差分输入电压） = （V
I
+) − (V
I
−). V
CM
（共模输入电压） = V
I
+或V
I
−.
注7 ：
500Ω
±
串联在输入端1％。
注8 ：
被测输入不接地。
开关特性
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25˚C
符号
t
PLH
t
PHL
参数
传播延迟时间
从低到高
传播延迟时间
前高后低
见AC测试电路
13
25
ns
条件
见AC测试电路
民
典型值
15
最大
25
单位
ns
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
