LM117/LM317A/LM317
LM317A和LM317电气特性
（注3）
产品规格与标准型面为T
J
= 25 ，和那些与
黑体字
申请过
整个工作温度
范围内。
除非另有规定ED ，V
IN
− V
OUT
= 5V ，而我
OUT
= 10 mA的电流。
参数
条件
LM317A
民
1.238
参考电压
3V
≤
(V
IN
− V
OUT
)
≤
40V,
10毫安
≤
I
OUT
≤
I
最大
线路调整
负载调整率
热调节
调节引脚电流
调节引脚电流变化
温度稳定性
最小负载电流
10毫安
≤
I
OUT
≤
I
最大
T
民
≤
T
J
≤
T
最大
(V
IN
− V
OUT
) = 40V
(V
IN
− V
OUT
)
≤
15V
K，T ，S包
EMP套餐
H， MDT包
(V
IN
− V
OUT
) = 40V
K，T ，S包
EMP套餐
H， MDT包
RMS输出噪声， ％V的
OUT
纹波抑制比
长期稳定性
10赫兹
≤
f
≤
10千赫
V
OUT
= 10V ， F = 120赫兹，C
ADJ
= 0 μF
V
OUT
= 10V ， F = 120赫兹，C
ADJ
= 10 μF
T
J
= 125℃ ， 1000小时
K（ TO- 3 ）包装
T（ TO- 220 ）封装
S（ TO- 263 ）封装
EMP （ SOT- 223 ）封装
H（ TO- 39 ）封装
MDT （ TO- 252 ）封装
K（ TO- 3 ）包装
T（ TO- 220 ）封装
S（ TO- 263 ）封装（注6 ）
EMP （ SOT- 223 ）封装（注6 ）
H（ TO- 39 ）封装
MDT （ TO- 252 ）封装（注6 ）
66
-
0.112
0.075
-
0.30
0.20
0.003
65
80
0.3
-
-
-
23.5
21
12
-
-
-
140
186
103
1
66
0.15
0.112
0.075
0.40
0.30
0.20
0.003
65
80
0.3
2
4
4
23.5
21
12
39
50
50
140
186
103
1
A
%
dB
dB
%
-
1.5
0.5
-
2.2
0.8
-
3.4
1.8
1.5
1.5
0.5
2.2
2.2
0.8
3.4
3.4
1.8
A
3V
≤
(V
IN
− V
OUT
)
≤
40V
3V
≤
(V
IN
− V
OUT
)
≤
40V （注4 ）
10毫安
≤
I
OUT
≤
I
最大
（注4 ）
20毫秒的脉冲
1.225
典型值
1.250
1.250
0.005
0.01
0.1
0.3
0.04
50
0.2
1
3.5
10
最大
1.262
1.270
0.01
0.02
0.5
1
0.07
100
5
民
-
1.20
LM317
典型值
1.25
1.25
0.01
0.02
0.1
0.3
0.04
50
0.2
1
3.5
10
最大
-
1.30
0.04
0.07
0.5
1.5
0.07
100
5
单位
V
V
%/V
%
%/W
μA
μA
%
mA
电流限制
热阻，
θ
JC
结到外壳
° C / W
热阻，
θ
JA
结到环境
（无散热片）
° C / W
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注2 ：
参阅RETS117H绘制为LM117H或RETS117K为LM117K军用规格。
注3 ：
I
最大
= 1.5A用于K （ TO-3 ），T（ TO-220 ）和S（ TO-263 ）封装。我
最大
= 1.0A的EMP （ SOT- 223 ）封装。我
最大
= 0.5A对H （TO- 39） ，MDT
（TO- 252 ）和E （LCC ）封装。器件的功耗（P
D
）由环境温度（不限Ť
A
） ，器件的最高结温（T
J
） ，以及包
热阻（ θ
JA
） 。在任何温度下的最大允许功耗为：P
D（最大）
= ((T
J（下最大）
- T
A
)/θ
JA
） 。全敏。和Max 。限制保证
以美国国家半导体的平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注4 ：
的测量是在一个恒定的结温，使用脉冲试验在低占空比。热效应引起的输出电压的变化
在规格热调节都包括在内。
注5 ：
人体模型， 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
注6 ：
当表面贴装封装中使用（ TO- 263 ， SOT- 223 ， TO- 252 ） ，结到环境的热阻，可以通过增加PC降低
板的铜区时，被热连接到封装。看到散热器技术的应用提示部分。
5
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
