绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
反向电流
正向电流
储存温度
15毫安
10毫安
-60℃到+ 150°C
工作温度范围（注2 ）
LM136
-55 ° C至+ 150°C
LM236
-25 ° C至+ 85°C
LM336
0 ° C至+ 70°C
焊接信息
TO- 92封装（ 10秒）
260˚C
TO-46封装（ 10秒）
300˚C
SO封装
气相（ 60秒）
215˚C
红外（15秒）。
220˚C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“ （附录D ）的其它方法
焊接表面贴装器件。
电气特性
（注3）
LM136A-2.5/LM236A-2.5
参数
反向击穿电压
条件
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安
LM136 ， LM236 ， LM336
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
温度稳定性
（注4 ）
LM136A ， LM236A ， LM336B
T
A
= 25˚C,
400 μA≤I
R
≤10
mA
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安， F = 100赫兹
V
R
调整到2.490V
I
R
= 1毫安，
图2
0˚C≤T
A
≤70˚C
(LM336)
−25˚C≤T
A
≤+85˚C
（ LM236H ， LM236Z ）
−25˚C
≤
T
A
≤
+ 85℃（ LM236M ）
−55˚C≤T
A
≤+125˚C
(LM136)
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
长期稳定性
I
R
= 1毫安
T
A
= 25˚C
±
0.1C ，我
R
= 1毫安，
T = 1000小时
0.4
20
1
0.4
20
1.4
Ω
PPM
400 μA≤I
R
≤10
mA
7.5
12
3
18
18
10
3
12
mV
mV
mV
3.5
9
1.8
6
mV
mV
2.440
2.465
2.490
2.490
2.6
0.2
2.540
2.515
6
0.6
2.390
2.440
2.490
2.490
2.6
0.2
2.590
2.540
10
1
V
V
mV
Ω
LM136-2.5/LM236-2.5
民
典型值
最大
民
LM336B-2.5
LM336-2.5
典型值
最大
单位
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出规定的操作条件。
注2 ：
对于高温下操作，T
j
max是：
LM136
LM236
LM336
150˚C
125˚C
100˚C
热阻
θ
ja
（结到环境）
θ
ja
（结点到外壳）
TO-92
180C / W（ 0.4"线索）
170℃ / W（ 0.125"铅）
不适用
TO-46
440˚C/W
80˚C/W
SO-8
165˚C/W
不适用
注3 ：
除非另有规定， LM136-2.5从-55指定
≤
T
A
≤
+ 125˚C ，从LM236-2.5 -25˚C
≤
T
A
≤
+ 85℃，在0℃的LM336-2.5
≤
T
A
≤
+70˚C.
注4 ：
温度稳定性为LM336和LM236系列为设计保证。设计极限，保证（但不是100 ％生产测试）在在 -
dicated温度和电源电压范围。这些限制不用于计算呼出的质量水平。稳定性定义为在V中的最大变化
REF
从
25℃至T
A
（分钟）或T
A
（最大值）。
3
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