应用信息
（续）
非反相输入比由并联组合沉没
的R1和R2的反相端。 R3应的五分之一
的R1和R2的并联值。
DS008711-18
图5.电流限制瞬态抑制器，
V
in
简称
C.L. SENSE电压倍增
当较大的检流电阻值所需的电压二
vider网络，包括R1和R2中，也可以使用。这
有效地乘以该检测电压（1 + R1 / R2） 。另外，
R 1可以用一个二极管来代替增加电流限制
检测电压为800毫伏（二极管V
f
+ 110毫伏） 。
DS008711-22
图8.欠压锁定
最大占空因数限制
最大占空比可以通过调整从外部限制
荷兰国际集团的充放电振荡器电容的比
用一个外部电阻。典型值是50微安为
充电电流， 450微安的放电电流，和一个
电压摆幅200 mV至750 mV的。因此，R 1为SE-
lected为所需的充电和放电的斜坡和
C1被调整来设置振荡器频率。
DS008711-19
图6.限流检测电压倍增，
地面简称
DS008711-21
图9.最大占空比限制
占空比调整
当人工或机械的选择输出晶体管的
需要器的占空比，下面所示的cirucit可以是
使用。输出将开启与每个骨质的开始
cillator周期和关断时的电流由R2下沉和
R 3的非反相终端变得大于
从反相端电流沉没。
DS008711-20
图7.限流检测电压倍增，
V
in
简称
欠压锁定
欠压锁定完成与极少的外部
组件。当V
in
变得小于齐纳下
击穿电压时，输出晶体管被关断。这
是因为二极管D1就会变成正向偏置，
使电阻器R3下沉距离更大的电流
用如图所示的电阻值， R 3可以用来调整
占空比为0％至90％。
当R 2和R 3的总和为R 1 ，则值的两倍
占空比为50％左右。 C 1可以是一个大的电解
电容器降到低于1赫兹的振荡器频率。
www.national.com
8
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
