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LMC660AIN 参数 Datasheet PDF下载

LMC660AIN图片预览
型号: LMC660AIN
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内容描述: CMOS四路运算放大器 [CMOS Quad Operational Amplifier]
分类和应用: 运算放大器放大器电路光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 464 K
品牌: NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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AC电气特性
参数
条件
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25˚C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= 2.5V和R
L
& GT ;
1M除非另有规定。
典型值
(注4 )
LMC660AMD
LMC660AMJ/883
极限
(注4,9 )
总谐波失真
F = 10 kHz时,
A
V
= −10
R
L
= 2 kΩ,
V
O
= 8 V
PP
V
+
= 15V
0.01
极限
(注4 )
极限
(注4 )
极限
(注4 )
%
LMC660AI
LMC660C
LMC660E
单位
注1 :
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度和/或多个运算放大器短裤连续短路操作
可以导致超过150℃的最大允许结温。输出电流超过
±
30毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性。
注2 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为:P
D
= (T
J(下最大)
− T
A
)/θ
JA
.
注3 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的,但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注4 :
典型值代表最可能的参数指标。限制由测试或相关保证。
注5 :
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V和R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试, 7.5V
V
O
11.5V 。对于下沉试验, 2.5V
V
O
7.5V.
注6 :
V
+
= 15V 。接成电压跟随器, 10V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
注7 :
输入参考。 V
+
= 15V和R
L
= 10 kΩ的连接到V
+
/ 2 。每安培兴奋依次用1千赫兹以产生V
O
= 13 V
PP
.
注8 :
人体模型, 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注9 :
军事RETS电气测试规格可根据要求提供。在印刷时, LMC660AMJ / 883 RETS规格全面遵守的
粗体
在此列的限制。该LMC660AMJ / 883也可以购买到标准军用图纸规范。
注10 :
对于在升高的温度下操作的设备必须基于热敏电阻降额
θ
JA
与P
D
= (T
J
− T
A
)/θ
JA
.
注11 :
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注12 :
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性可能受到不利影响。
典型性能特性
电源电流
与电源电压
失调电压
V
S
=
±
7.5V ,T
A
= 25 ° C除非另有说明
输入偏置电流
DS008767-25
DS008767-24
DS008767-26
输出特性
电流吸收
输出特性
电流源
输入电压噪声
与频率
DS008767-27
DS008767-28
DS008767-29
5
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