NTE171 参数 Datasheet PDF下载

NTE171

Silicon NPN Transistor

Audio/Video Amplifier

Description:

The NTE171 is a silicon NPN transistor in a TO202 type case designed for high–voltage TV video and

chroma output circuits, high–voltage linear amplifiers, and high–voltage transistor regulators.

Features:

D

High Collector–Emitter Breakdown Voltage Voltage: V

(BR)CER

= 300V @ I

C

= 1mA

D

Low Collector–Base Capacitance: C

cb

= 3pF Max @ V

CB

= 20V

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage (I

C

= 1mA, R

BE

= 10kΩ, Note 1), V

CER

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector–Base Voltage, V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Emitter–Base Voltage, V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I

C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700mA

Base Current, I

B

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA

Total Power Dissipation (T

A

= +25°C), P

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.67W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13.3mW/°C

Total Power Dissipation (T

C

= +25°C), P

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.25W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T

J

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T

stg

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient, R

ΘJA

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75°C/W

Thermal Resistance, Junction to Case, R

ΘJC

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20°C/W

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec), T

L

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C

Note 1. Pulse Test: Pulse Width

≤

300µs, Duty Cycle

≤

2%.