NTE2379
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D
Dynamic dv/dt Rating
D
Repetitive Avalanche Rated
D
Fast Switching
D
Ease of Paralleling
D
Simple Drive Requirements
Absolute Maximum Ratings:
Gate–Source Voltage, V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20V
Drain Current, I
D
Continuous (V
GS
= 10V)
T
C
= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2A
T
C
= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.9A
Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
Gate Current (Pulsed), I
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±1.5A
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), E
AS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 570mJ
Avalanche Current (Note 1), I
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V/ns
Total Power Dissipation (T
C
= +25°C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec), T
L
. . . . . . . . . . . . +300°C
Thermal Resistance:
Maximum Junction–to–Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W
Typical Case–to–Sink (Mounting surface flat, smooth, and greased), R
thCS
. . . . . . 0.5°C/W
Maximum Junction–to–Ambient (Free Air Operation), R
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62°C/W
Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. V
DD
= 50V, starting T
J
= +25°C, l = 27mH, R
G
= 25Ω, I
AS
= 6.2A.
Note 3. I
SD
≤
6.2A, di/dt
≤
80A/µA, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
J
≤
+150°C.
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
