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NTE2940 参数 Datasheet PDF下载

NTE2940图片预览
型号: NTE2940
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内容描述: MOSFET N沟道增强模式的高速开关 [MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 3 页 / 83 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
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NTE2940
MOSFET
N−Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D
Low Static Drain−Source ON Resistance
D
Improved Inductive Ruggedness
D
Fast Switching Times
D
Low Input Capacitance
D
Extended Safe Operating Area
D
TO220 Type Isolated Package
Absolute Maximum Ratings:
Drain−Source Voltage (Note 1), V
DSS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Drain−Gate Voltage (R
GS
= 1MΩ, Note 1), V
DGR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Gate−Source Voltage, V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20V
Drain Current, I
D
Continuous
T
C
= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
T
C
= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Pulsed (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A
Gate Current (Pulsed), I
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±1.5A
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3), E
AS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.5mJ
Avalanche Current, I
AS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Total Power Dissipation (T
C
= +25°C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.32W/°C
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−55°
to +175°C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−55°
to +175°C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T
L
. . . . . . . . . . . . . . +300°C
Thermal Resistance:
Maximum Junction−to−Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.12K/W
Typical Case−to−Sink (Mounting surface flat, smooth, and greased), R
thCS
. . . . . . . 0.5K/W
Maximum Junction−to−Ambient (Free Air Operation), R
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5K/W
Note 1. T
J
= +25° to +175°C.
Note 2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 3. L = 100µH, V
DD
= 25V, R
G
= 25Ω, Starting T
J
= +25°C.