NTE393 参数 Datasheet PDF下载

NTE392 (NPN) & NTE393 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

General Purpose

Description:

The NTE392 (NPN) and NTE393 (PNP) are silicon compelementary transistors in a TO218 type package

designed for general purpose power amplifier and switching applications.

Features:

D

25A Collector Current

D

Low Leakage Current: I

CEO

= 1mA @ V

CE

= 60V

D

Excellent DC Gain: h

FE

= 40 Typ @ 15A

D

High Current Gain Bandwidth Product: h

fe

= 3 Min @ I

C

= 1A, f = 1MHz

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V

CEO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Base Voltage, V

CB

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Emitter–Base Voltage, V

EB

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I

C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A

Continuous Base Current, I

B

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Total Power Dissipation (T

C

= +25°C), P

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W/°C

Operating Junction Temperature Range, T

J

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature Range, T

stg

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Unclamped Inductive Load, E

SB

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90mJ

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R

thJC

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R

thJA

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35.7°C/W

Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 10ms, Duty Cycle

≤

10%.