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NTE102 参数 Datasheet PDF下载

NTE102图片预览
型号: NTE102
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内容描述: 锗互补晶体管输出功率,驱动器 [Germanium Complementary Transistors Power Output, Driver]
分类和应用: 晶体驱动器小信号双极晶体管开关
文件页数/大小: 2 页 / 27 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
 浏览型号NTE102的Datasheet PDF文件第2页  
NTE102 ( PNP ) & NTE103 ( NPN )
锗互补晶体管
输出功率,驱动器
描述:
该NTE102 ( PNP )和NTE103 ( NPN )是专为我 - 锗晶体管互补
dium速饱和的开关应用。
产品特点:
D
低集电极 - 发射极饱和电压:
V
CE ( SAT )
= 200mV的最大@ I
C
= 24毫安
D
高发射极 - 基极击穿电压:
V
( BR ) EBO
= 12V分@我
E
= 20µA
绝对最大额定值:
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
集电极 - 发射极电压,V
CES
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24V
发射极 - 基极电压,V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V
连续集电极电流,I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫安
发射极电流,I
E
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
器件总功耗(T
A
= + 25°C ) ,磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫瓦
减免上述+ 25 ° 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为2mW / ℃,
器件总功耗(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
减免上述+ 25 ° 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4mW的/°C的
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65℃ 〜+ 100 ℃的
存储结温范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65℃ 〜+ 100 ℃的
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
V
( BR ) CBO
I
C
= 20μA ,我
E
= 0
V
( BR ) EBO
I
E
= 20μA ,我
C
= 0
V
PT
I
CBO
I
EBO
V
EBfl
= 1V ,注1
V
CB
= 12V,我
E
= 0
V
CB
= 12V,我
E
= 0, T
A
= +80°C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 2.5V ,我
C
= 0
25
12
24
0.8
20
0.5
5.0
90
2.5
V
V
V
µA
µA
µA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
注1: V
PT
通过测量发射基浮动电位V确定
EBfl
,用电压表
用11MΩ最小输入阻抗。集电极 - 基极电压,V
CB
被增加,直到
V
EBfl
= 1V ; V的这个值
CB
= (V
PT
+ 1).