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    NTE108 参数 Datasheet PDF下载

    NTE108图片预览
    型号： NTE108
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN晶体管高频放大器 [Silicon NPN Transistor High Frequency Amplifier]
    分类和应用： 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管PC
    文件页数/大小： 2 页 / 26 K
    品牌： NTE [ NTE ELECTRONICS ]
     浏览型号NTE108的Datasheet PDF文件第1页  
    电气特性（续） ：
    (T
    A
    = + 25°C ，除非另有规定）
    参数
    基本特征
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    小信号特性
    电流增益带宽积
    输出电容
    输入电容
    噪声系数
    功能测试
    共发射极放大器电源
    收益
    电源输出
    振荡器集热效率
    G
    pe
    P
    OUT
    η
    I
    C
    = 6毫安，V
    CB
    = 12V,
    F = 200MHz的（G
    fd
    + G
    re
    < -20dB ）
    I
    C
    = 8毫安，V
    CB
    = 15V,
    F = 500MHz的
    I
    C
    = 8毫安，V
    CB
    = 15V,
    P
    OUT
    = 30mW的， F = 500MHz的
    15
    30
    25
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    dB
    mW
    %
    f
    T
    C
    敖包
    C
    IBO
    NF
    I
    C
    = 4毫安，V
    CE
    = 10V,
    F = 100MHz时，注2
    V
    CB
    = 0V时，我
    E
    = 0中，f = 140kHz
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 140kHz
    V
    EB
    = 0.5V ，我
    C
    = 0中，f = 140kHz
    I
    C
    = 1mA时， V
    CE
    = 6V,
    R
    S
    = 400Ω ， F = 60MHz的
    600
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    3.0
    1.7
    2.0
    6
    兆赫
    pF
    pF
    pF
    dB
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = 3mA电流， V
    CE
    = 1V ，注2
    I
    C
    = 8毫安，V
    CE
    = 10V ，注意2
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 1毫安
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 1毫安
    20
    20
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    200
    0.4
    1.0
    V
    V
    符号
    测试条件
    民
    典型最大单位
    注2：脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 1 ％ 。
    0.135 （ 3.45 ）最小
    .210
    (5.33)
    最大
    飞机座位
    .500
    (12.7)
    民
    0.021 （ 0.445 ）最大直径
    ê B C
    .100 (2.54)
    .050 (1.27)
    .165
    (4.2)
    最大
    0.105 （ 2.67 ）最大
    0.105 （ 2.67 ）最大
    0.205 （5.2 ）最大

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