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型号: NTE112
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内容描述: 硅小信号肖特基二极管 [Silicon Small Signal Schottky Diode]
分类和应用: 小信号肖特基二极管
文件页数/大小: 2 页 / 22 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
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NTE112
硅小信号肖特基二极管
描述:
该NTE112是金属硅结二极管在DO35型封装primarly用于UHF
混频器和超高速开关应用。
绝对最大额定值:
重复峰值反向电压,V
RRM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
连续正向电流(T
A
= + 25 ° C,注1 ) ,我
F
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
浪涌不重复正向电流(T
p
1秒,注1 ) ,我
FSM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60毫安
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150 °
热阻,结到环境(注1 ) ,R
号(j -a)的
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400 ° C / W
最大的铅温度(焊接过程中,从案例4毫米,最多10秒) ,T
L
. . . . . . . . . . +230°C
注1.在无限的散热器采用4mm引线长度。
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
静态特性
击穿电压
正向电压降
反向电流
动态特性
电容
存储电荷
频率
C
Q
S
F
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
= 10毫安,注3
F = 1GHz的注4
6
1
3
7
pF
pC
dB
V
( BR )
V
F
I
R
I
R
= 100µA
I
F
= 10毫安,注2
V
R
= 1V ,注2
5
0.55
0.05
V
V
µA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
注2:脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比< 2 % 。
注3.测量在B线电子QS- 3存储电荷计。
注4:噪声系数的测试: - 二极管插在一个调谐带状线电路。
本振频率1GHz的
本振功率为1mW
中频放大器,调谐在30MHz的,有噪声
图, 1.5分贝。