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NTE189 参数 Datasheet PDF下载

NTE189图片预览
型号: NTE189
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内容描述: 硅互补晶体管高电压放大器与驱动程序 [Silicon Complementary Transistors High Voltage Amplifier & Driver]
分类和应用: 晶体放大器小信号双极晶体管驱动局域网
文件页数/大小: 2 页 / 25 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
 浏览型号NTE189的Datasheet PDF文件第2页  
NTE188 ( NPN ) & NTE189 ( PNP )
硅晶体管互补
高电压放大器&驱动程序
描述:
的NTE188 (NPN)和NTE189 (PNP)是在一个TO202N型互补硅晶体管
包装设计的通用型,高电压放大器和驱动器应用。
产品特点:
D
高集电极发射极击穿电压: V
( BR ) CEO
= 80V @我
C
= 1毫安
D
高功率耗散:P
D
= 10W @ T
C
= +25°C
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
集电极 - 基极Voiltage ,V
CB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
发射极 - 基极电压,V
EB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
连续集电极电流,I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
总功率耗散(T
A
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8MW /°C的
总功率耗散(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80mW的/°C的
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
热阻,结到环境(注1 ) ,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C / W
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.5 ° C / W
注意: 1。R
thJA
度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
NTE188
NTE189
V
( BR ) CEO
I
C
= 1mA时,我
B
= 0 ,注2
V
( BR ) EBO
I
E
= 100μA ,我
C
= 0
I
CBO
V
CB
= 80V ,我
E
= 0
V
CB
= 60V ,我
E
= 0
80
4
100
100
V
V
nA
nA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
注2:脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%.