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NTE197 参数 Datasheet PDF下载

NTE197图片预览
型号: NTE197
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内容描述: 硅互补晶体管音频输出功率和中功率开关 [Silicon Complementary Transistors Audio Power Output and Medium Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 27 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
 浏览型号NTE197的Datasheet PDF文件第2页  
NTE196 ( NPN ) & NTE197 ( PNP )
硅晶体管互补
音频输出功率和中功率开关
描述:
的NTE196 (NPN)和NTE197 (PNP)是在一个TO220型封装硅互补型晶体管
年龄设计用于通用放大器和开关应用中使用。
产品特点:
D
直流电流增益指定为7安培:H
FE
= 2.3分钟@我
C
= 7A
D
集电极发射极耐受电压: V
CEO ( SUS )
= 70V敏
D
高电流增益带宽积:
f
T
= 4MHz的敏@我
C
= 500毫安( NTE196 )
= 10MHz时敏@我
C
= 500毫安( NTE197 )
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V
集电极 - 基极电压,V
CB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
发射极 - 基极电压,V
EB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流,I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7A
高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10A
基极电流,我
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A
总功率耗散(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.32W /°C的
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.125 ° C / W
电气特性:
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
开关特性
符号
测试条件
70
典型最大单位
1.0
100
2.0
1.0
V
mA
µA
mA
mA
集电极 - 发射极耐受电压V
CEO ( SUS )
I
C
= 100mA时我
B
= 0 , 1​​注
收藏家Cuto FF电流
I
首席执行官
I
CEX
发射Cuto FF电流
I
EBO
V
CE
= 60V ,我
B
= 0
V
CE
= 80V, V
EB (O FF )
= 1.5V
V
CE
= 80V, V
EB (O FF )
= 1.5V ,T
C
= +150°C
V
BE
= 5V ,我
C
= 0
注1.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%.