欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

NTE231 参数 Datasheet PDF下载

NTE231图片预览
型号: NTE231
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 可控硅整流器( SCR)电视机偏转电路 [Silicon Controlled Rectifier (SCR) TV Deflection Circuit]
分类和应用: 可控硅整流器电视
文件页数/大小: 2 页 / 26 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
 浏览型号NTE231的Datasheet PDF文件第2页  
NTE231
可控硅整流器( SCR)
电视偏转电路
产品特点:
D
CTV 110 ° - 显像管水平偏转
D
Comutater开关
绝对最大额定值:
重复峰值断态电压(T
J
= + 100 ° C) ,V
DRM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
非重复性峰值正向电压(T
J
= + 100 ° C) ,V
帝斯曼
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750V
重复峰值反向电压,V
RRM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
RMS通态电流(注1 ) ,我
T( RMS )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
平均通态电流(注1 ) ,我
T( AV )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2A
浪涌电流(注1 ) ,我
TSM
50赫兹。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60A
60赫兹。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70A
爆击率-的高层通态电流, di / dt的了。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200A / μs的
栅极峰值功率耗散(注2 ) ,P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W
平均门功耗,P
G( AV )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500mW的
最小峰值反向栅极电压,V
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –30V
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 100°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 150°C
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4 ° C / W
注意: 1。单相半波正弦50Hz时,T
C
= +60°C
注2:持续时间为10μs
电气特性:
参数
峰值断态电流
峰值通态电压
直流门极触发电流
符号
I
DRM
V
TM
I
GT
测试条件
V
DRM
= 700V ,T
J
= +100°C
I
TM
= 20A ,T
C
= +25°C
T
C
= -40°C V
D
= 6V ,R
L
= 10Ω
T
C
= +25°C
典型值
最大
1.5
3.0
75
45
单位
mA
V
mA
mA