NTE2322
硅PNP晶体管
四，通用
绝对最大额定值：
集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
集电极 - 基极电压，V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
发射极 - 基极电压，V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
连续集电极电流，I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫安
器件总功耗（T
A
= + 25°C ，每个晶体管） ，磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.65W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.5mW /°C的
器件总功耗（T
A
= + 25 ° C，器件总） ，P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.9W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19MW /°C的
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 125°C
热Reistance ，结到环境，R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66 ° C / W
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征
（注1 ）
直流电流增益
h
FE
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 150毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 300毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 300毫安，我
B
= 30毫安
基射极饱和电压
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 300毫安，我
B
= 30毫安
75
100
30
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.4
1.6
1.5
2.6
V
V
V
V
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
C
= 10毫安，我
B
= 0 ， 1注
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 30V ，我
E
= 0
V
EB
= 3V ，我
E
= 0
40
60
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
50
50
V
V
V
nA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
