NTE2377
MOSFET
N沟道，
增强模式，高速
描述：
该NTE2377是一个N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。易驱
而且速度非常快的开关时间使该器件非常适用于高速开关应用。典型
应用包括开关模式电源，不间断电源和电机
速度控制。
产品特点：
D
低通态电阻
D
超高速开关
D
转换器
绝对最大额定值：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
漏源电压，V
DSS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V
栅源电压，V
GSS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±30V
直流漏电流，I
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A
漏电流脉冲（注1 ） ，我
DP
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36A
允许功耗（T
C
= + 25°C ） ，磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
最大通道温度，T
ch
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
注1.脉冲宽度
≤
为10μs ，占空比
≤
1%.
注2：要小心处理的NTE2377 ，因为它有门之间没有保护二极管
源。
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
截止电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
符号
测试条件
民
900
–
–
2
–
2.5
典型值
–
–
–
–
1.2
5.0
最大
–
1.0
±100
3
1.6
–
单位
V
mA
nA
V
Ω
姆欧
V
（ BR ） DSS
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0, V
DS
=最大额定值
V
DS
= 0, V
GS
=
±30V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 4A
V
DS
= 20V ，我
D
= 4A
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
