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NTE2387 参数 Datasheet PDF下载

NTE2387图片预览
型号: NTE2387
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内容描述: MOSFET N沟道增强模式,高速开关 [MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 2 页 / 27 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
 浏览型号NTE2387的Datasheet PDF文件第2页  
NTE2387
MOSFET
N沟道增强模式,
高速开关
绝对最大额定值:
漏源电压,V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20kΩ时) ,V
DGR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
栅源电压,V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±30V
脉冲漏电流,I
DM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A
连续漏电流,I
D
T
C
= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.0A
T
C
= + 100°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5A
总功耗(T
C
= + 25°C ) ,磷
合计
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
最大热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0 ° C / W
典型热阻,结到环境,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 ° C / W
电气特性:
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
静态特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= 30V ,我
D
= 2.3A ,V
GS
= 10V,
R
GS
= 50Ω, R
= 50Ω
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0
V
GS
= 0, V
DS
= 800V ,T
C
= +25°C
V
GS
= 0, V
DS
= 800V ,T
C
= +125°C
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
正向跨导
输入Capactiance
输出电容
反向传输Capactiance
开启时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
V
DS
= 25V ,我
D
= 1.5A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
3.0
4.3
1000
80
30
10
25
130
40
1250
120
50
25
40
150
60
姆欧
pf
pf
pf
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 0, V
GS
=
±30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 1.5A
800
2.1
2
0.1
10
3.0
2.7
20
1.0
100
4.0
3.0
V
µA
mA
nA
V
符号
测试条件
典型值
最大
单位