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NTE2395 参数 Datasheet PDF下载

NTE2395图片预览
型号: NTE2395
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内容描述: MOSFET N-CH ,增强型高速开关 [MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 3 页 / 31 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
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NTE2395
MOSFET
N沟道,增强模式
高速开关
产品特点:
D
动态的dv / dt额定值
D
+ 175 ° C工作温度
D
快速开关
D
易于并联的
D
简单的驱动要求
绝对最大额定值:
连续漏电流( V
GS
= 10V ) ,我
D
T
C
= + 25 ° C(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50A
T
C
= + 100°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36A
漏电流脉冲(注2 ) ,我
DM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A
功率耗散(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
线性降额超过25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W /°C的
栅极 - 源极电压,V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20V
单脉冲雪崩能量(注3 ) ,E
AS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mJ
峰值二极管恢复的dv / dt (注4 ) , dv / dt的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5V / ns的
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 175℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 175℃
焊接温度(焊接过程中, 1.6毫米从案例10秒) ,T
L
. . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C
安装扭矩( 6-32或M3螺丝) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10磅?的( 1.1N ?m )
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0 ° C / W
热阻,结到环境,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62 ° C / W
典型热阻,壳到散热器(平板,脂面) ,R
乡镇卫生院
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5 ° C / W
1.
2.
3.
4.
目前受限于封装(模具电流= 51A ) 。
重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
V
DD
= 25V ,起始物为
J
= + 25 ° C,L = 44μH ,R
G
= 25Ω, I
AS
= 51A
I
SD
51A , di / dt的
250A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
J
+175°C