NTE2398
MOSFET
N沟道,增强模式
高速开关
产品特点:
D
动态的dv / dt额定值
D
额定重复性雪崩
D
快速开关
D
易于并联的
D
简单的驱动要求
绝对最大额定值:
连续漏电流( V
GS
= 10V ) ,我
D
T
C
= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5A
T
C
= + 100°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.9A
漏电流脉冲(注1 ) ,我
DM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18A
功率耗散(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74W
线性降额超过25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.59W /°C的
栅极 - 源极电压,V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20V
单脉冲雪崩能量(注2 ) ,E
AS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 280mJ
雪崩电流(注1 ) ,我
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5A
重复性雪崩能量(注1 ) ,E
AR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7.4mJ
峰值二极管恢复的dv / dt (注3 ) , dv / dt的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5V / ns的
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
焊接温度(焊接过程中, 1.6毫米从案例10秒) ,T
L
. . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C
安装扭矩( 6-32或M3螺丝) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10磅?的( 1.1N ?m )
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.7 ° C / W
热阻,结到环境,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62 ° C / W
典型热阻,壳到散热器(平板,脂面) ,R
乡镇卫生院
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5 ° C / W
注意事项1.重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
注2: V
DD
= 50V ,起始物为
J
= + 25 ° C,L = 24mH ,R
G
= 25Ω, I
AS
= 4.5A
注3.我
SD
≤
4.5A , di / dt的
≤
75A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
J
≤
+150°C