NTE2408
硅NPN晶体管
通用放大器，表面贴装
（中文全集，以NTE2409 ）
描述：
该NTE2408是采用SOT- 23表面型硅NPN通用晶体管贴装封装
设计用于在音频放大器中厚和薄膜混合电路的驱动级的使用。
绝对最大额定值：
集电极 - 基极电压，V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
集电极 - 发射极电压，V
CES
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V
发射极 - 基极电压，V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
集电极电流，I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
峰值发射极电流，I
EM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
峰值基极电流，我
BM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
总功率耗散（T
A
= + 60 ° C，注1 ） ，P
合计
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200mW的
结温，T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
存储温度范围，T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°
至+ 150°C
热阻，结到制表，R
thJT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60K / W
热电阻，片 - 焊接点，R
thTS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 280K / W
热电阻，焊点到环境（注1 ） ，R
THSA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90K / W
注1安装在陶瓷基板上0.314 （8毫米）× 0.393 （10毫米）× 0.027 （ 0.7毫米） 。
电气特性：
(T
J
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
收藏家Cuto FF电流
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CBO
V
BE
V
CE （ SAT ）
测试条件
V
CB
= 30V ，我
E
= 0
V
CB
= 30V ，我
E
= 0, T
A
= +150°C
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安，注2
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安，注2
I
C
= 10毫安，我
B
= 0.5毫安，注3
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安，注3
民
–
–
580
–
–
–
典型值
–
–
660
–
90
200
最大
15
5
700
770
250
600
单位
nA
µA
mV
mV
mV
mV
注2： V
BE
降低了约2mV的/ K随温度的升高。
注3. V
BE （ SAT ）
减小约1.7mV随着温度的升高。
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
