NTE2412
硅NPN晶体管
通用，高电压放大器，
（中文全集，以NTE2413 ）
描述：
该NTE2412是硅NPN晶体管在SOT- 23表面贴装封装设计使用
主要是电话和专业的通讯设备。
绝对最大额定值：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
集电极 - 基极电压，V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
发射极 - 基极电压，V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流，I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
集电极耗散功率，P
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200mW的
工作结温，T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
电容
符号
测试条件
民
300
300
5
–
–
–
56
50
–
典型值
–
–
–
–
–
–
–
100
3
最大
–
–
–
0.5
0.5
2.0
120
–
–
兆赫
pF
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
（ BR ） CBO
I
C
= 50µA
V
（ BR ） EBO
I
E
= 50µA
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
V
CB
= 200V
V
EB
= 4V
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 30V ，我
E
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CB
= 30V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
集电极 - 发射极击穿电压V
（ BR ） CEO
I
C
= 100µA
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
