NTE2732A
集成电路
32K （ 4K ×8 ） NMOS紫外线可擦除PROM
描述：
该NTE2732A是32768比特紫外线可擦除电可编程只读
使用N沟道硅栅组织为4096字由8位和制存储器（EPROM）
MOS处理。凭借其+ 5V单电源供电，具有200ns的存取时间，在NTE2732A
非常适合与高性能+ 5V微处理器，如NTE3880使用。
该NTE2732A具有一个重要的特征是单独的输出控制，输出使能（ OE）的
从芯片使能控制（ CE） 。在OE控制消除了多总线微处理器的总线争用
处理器系统。
该NTE2732A还具有待机模式，从而降低了功耗，无increas-
荷兰国际集团的存取时间。有功电流是125毫安而最大待机模式由硐实现
荷兰国际集团将TTL高信号， CE输入。
产品特点：
D
快速存取时间： 200ns的最大
D
0 °到+ 70 ° C标准温度范围
D
+ 5V单电源供电
D
低待机电流（最大35mA ）
D
输入和输出TTL兼容在读取和编程
D
完全静止
绝对最大额定值：
（注1 ）
所有的输入或输出电压相对于GND ，V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6至-0.6V
电源电压相对于GND计划，V中
pp
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22至-0.6V
下偏差，T环境温度
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10°至+ 80℃的
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °C至+ 125°C
注1.强调上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在
这些或任何超出本specifi-的业务部门所标明的其他条件
阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
操作模式：
引脚
模式
读
待机
节目
程序VERIFTY
禁止程序
CE
(18)
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
OE / V
pp
(20)
V
IL
不在乎
V
PP
V
IL
V
PP
V
CC
(24)
+5
+5
+5
+5
+5
输出
(9 – 11, 13–17)
D
OUT
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
