NTE283
硅NPN晶体管
水平输出,开关
描述:
该NTE283处于TO3型封装专为高电压硅NPN晶体管,高
速度,在感性电路功率开关在哪里跌倒的时间是至关重要的。典型的应用包括
开关稳压器, PWM逆变器,电磁阀和继电器驱动器。
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0), V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 325V
集电极 - 发射极电压(V
BE
= 0), V
CES
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
发射极 - 基极电压,V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8V
集电极电流,I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10A
峰值(T
p
≤
10毫秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15A
基极电流,我
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A
总功率耗散(T
C
≤
+ 25°C ) ,磷
合计
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.75 ° C / W
电气特性:
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
电流增益带宽积
第二击穿集电极电流
符号
I
CES
I
EBO
V
CBO
V
CEO (苏
s)
测试条件
V
CEV
= 800V, V
BE
= 0
V
EB
= 8V ,我
C
= 0
I
C
= 1mA时,我
E
= 0
I
C
= 100mA时我
B
= 0 , 1注
I
C
= 8A ,我
B
= 2.5A ,注1
I
C
= 8A ,我
B
= 2.5A ,注1
V
CE
= 10V ,我
C
= 2.5A ,注1
V
CE
= 10V ,我
C
= 500毫安
V
CE
= 25V ,注意2
民
–
–
800
325
–
–
15
–
4
典型值
–
–
–
–
–
–
–
10
–
最大
1
1
–
–
3.3
2.2
–
–
–
单位
mA
mA
V
V
V
V
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
f
T
I
S / B
兆赫
A
注1.脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比= 1.5 % 。
注2:脉冲: 1秒,非重复脉冲。