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型号: NTE2986
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内容描述: 逻辑电平MOSFET N沟道增强模式的高速开关 [Logic Level MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 3 页 / 30 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
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NTE2986
逻辑电平MOSFET
N沟道,增强模式
高速开关
产品特点:
D
动态的dv / dt额定值
D
逻辑电平栅极驱动器
D
R
DS
(上)指定在V
GS
= 4V & 5V
D
+ 175 ° C工作温度
D
快速开关
D
易于并联的
D
简单的驱动要求
绝对最大额定值:
漏电流,我
D
连续(V
GS
= 5V)
T
C
= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50A
T
C
= + 100°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36A
脉冲(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200A
总功率耗散(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W /°C的
栅源电压,V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±10V
单脉冲雪崩能量(注2 ) ,E
AS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110mJ
峰值二极管恢复的dv / dt (注3 ) , dv / dt的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5V / ns的
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 175℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 175℃
最大的铅温度(焊接过程中,从案例1.6毫米, 10秒) ,T
L
. . . . . . . . . . +300°C
安装扭矩, 6-32或M3螺丝。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在10磅• ( 1.1牛顿•米)
热阻:
最大结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0K / W
典型案例到水槽(安装表面平整,光滑,并涂油) ,R
乡镇卫生院
。 。 。 。 。 。 。 0.5K / W
最大结到环境(自由空气操作) ,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62K / W
注意: 1。重复评级:脉冲宽度有限的最高结温。
注2: L = 179μH ,V
DD
= 25V ,R
G
= 25Ω, I
AS
= 51A ,起始物为
J
= +175°C.
注3.我
SD
51A , di / dt的
250A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
J
+175°C.