欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

NTE2989 参数 Datasheet PDF下载

NTE2989图片预览
型号: NTE2989
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: MOSFET N沟道增强模式的高速开关 [MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 29 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
 浏览型号NTE2989的Datasheet PDF文件第2页  
NTE2989
MOSFET
N沟道,增强模式
高速开关
产品特点:
D
高速开关
D
低导通电阻
D
无二次击穿
D
低驱动功率
D
高压
D
额定重复性雪崩
应用范围:
D
开关稳压器
D
UPS
D
DC-DC转换器
D
通用功率放大器
绝对最大额定值:
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
漏源电压,V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
漏电流,我
D
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10A
脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36A
栅源电压,V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±30V
雪崩电流,重复或不重复(T
ch
+ 150 ° C) ,我
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
雪崩能量E
AS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64.7mJ
最大功耗,P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
热阻,结到环境,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62.5 ° C / W
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5 ° C / W
电气特性:
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
符号
测试条件
600
3.5
T
ch
= +25°C
T
ch
= +125°C
典型值
4.0
10
0.2
最大
4.5
500
1.0
单位
V
V
µA
mA
V
( BR ) DSS
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
V
GS ( TH)
I
DSS
I
D
= 1mA时, V
DS
= V
GS
V
DS
= 600V,
V
GS
= 0V