NTE3032
光电晶体管探测器
NPN硅，可见& IR
描述：
该NTE3032是一个TO18型封装设计中使用的硅NPN光电晶体管探测器
工业检测，处理和控制，计数，分选，切换，以及逻辑电路的应用
或任何设计要求的辐射敏感性和稳定的特点。
产品特点：
D
敏感在整个可见光和近红外光谱范围内的广泛应用
D
最小光电流： 8mH @ H = 5毫瓦/平方厘米
2
D
外部基地加控制
D
稳定性和可靠性的环形结构钝化
D
热门TO18封装类型，便于搬运和安装
绝对最大额定值：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
集电极 - 基极电压，V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
发射极 - 集电极电压，V
ECO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
器件总功耗，P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫瓦
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.43mW /°C的
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
静态特性
集电极暗电流
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
光学特性
光电流
光电流上升时间
光电流下降时间
I
L
t
r
t
f
V
CC
= 5V ，R
L
= 100Ω ，注1
R
L
= 100Ω, I
L
= 1毫安（峰值） ，
注2
8
–
–
–
15
15
–
–
–
mA
µs
µs
I
首席执行官
V
CC
= 10V ，H
∼
0
–
80
5
–
–
–
100
–
–
nA
V
V
V
（ BR ） CBO
I
C
= 100µA
V
（ BR ） ECO
I
E
= 100µA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意： 1。辐射通量密度（H ）等于5毫瓦/平方厘米
2
从钨源在一个彩色发射
2870 K.温度
注2：对于不饱和的响应时间测量，辐射脉冲砷化镓提供（镓
砷化）发光二极管（ λ
∼ µm)
用脉冲宽度等于或大于10μs的，
I
L
= 1毫安山顶。
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