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型号: NTE3086
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内容描述: 光隔离器双NPN晶体管输出 [Optoisolator Dual NPN Transistor Output]
分类和应用: 晶体光电晶体管输出元件
文件页数/大小: 3 页 / 26 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
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NTE3086
OPTOISOLATOR
双NPN晶体管输出
描述:
该NTE3086是一个标准的双光耦组成的砷化镓红外发光二极管和硅光电
每个通道晶体管。该器件具有高电压绝缘,双层成型封装构造
老龄化进程,提供7.5KV耐压试验能力。
产品特点:
D
每包两个隔离通道
D
7500V耐压试验电压
D
点击率最低: 20 %
绝对最大额定值:
砷化镓LED(每通道)
功率耗散(T
A
= + 25°C ) ,磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3MW /°C的
正向电流I
F
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60毫安
峰值(脉冲宽度为1μs , 300pps ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3A
光电晶体管(每个通道)
功率耗散(T
A
= + 25°C ) ,磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫瓦
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0MW /°C的
集电极 - 发射极Breakdow电压,V
( BR ) CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
集电极 - 基极Breakdow电压,V
( BR ) CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
发射极 - 集电极Breakdow电压,V
( BR ) ECO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
设备总
功率耗散(T
A
= + 25°C ) ,磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.33mW /°C的
工作温度范围,T
OPR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 100°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
焊接温度(焊接过程中,最大10秒) ,T
L
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +250°C
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
砷化镓LED
正向电压
反向电压
反向电流
结电容
V
F
V
R
I
R
I
F
= 20mA下
I
R
= 10µA
V
R
= 3V
V = 0 , F = 1MHz的
3
1.1
25
80
1.5
10
V
V
µA
pF
符号
测试条件
典型值
最大
单位