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型号: NTE3101
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内容描述: 光子加上断路器模块NPN达林顿输出 [Photon Coupled Interrupter Module NPN Darlington Output]
分类和应用: 断路器
文件页数/大小: 2 页 / 24 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
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NTE3101
光子加上断路器模块
NPN达林顿输出
描述:
该NTE3101灭弧模块是一个砷化镓红外发光二极管耦合到硅
达林顿在一个塑料外壳连接的光电晶体管。包装系统被设计为了优化
程度降低的机械分辨率,耦合效率,环境光抑制,成本和可靠性。该
间隙在所述壳体提供有不透明材料中断信号的装置,切换
从“ON”,输出为一个“关”的状态。
绝对最大额定值:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
红外发光二极管
功耗,P
E
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.33mW /°C的
正向电流I
F
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60毫安
峰值(脉冲宽度
为1μs , PRR
300pps ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3A
反向电压, V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
PHOTOTRANSISTOR
功耗,P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫瓦
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0MW /°C的
连续集电极电流,I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55V
发射极 - 集电极电压,V
ECO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
设备总
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 100°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 100°C
焊接温度(焊接过程中, 5秒最大) ,T
L
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C
电气特性:
(T
A
= + 25 ° C,注意事项1 ,除非另有规定)
参数
发射特性
反向击穿电压
正向电压
反向电流
电容
V
( BR )R
V
F
I
R
C
i
I
R
= 10µA
I
F
= 60毫安
V
R
= 5V
V = 0 , F = 1MHz的
6
30
1.7
100
V
V
nA
pF
符号
测试条件
典型值
最大
单位
注意事项1.杂散辐射可以改变的特性值。应提供足够的屏蔽。