NTE311
硅NPN晶体管
倍频器，驱动器， VHF / UHF
绝对最大额定值：
集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Collectore基极电压，V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55V
发射极 - 基极电压，V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5V
连续集电极电流，I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫安
器件总功耗（T
C
= + 25°C ） ，磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28.6mW / ℃，
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极耐受电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
V
CER （ SUS）
I
C
= 5毫安，R
BE
= 10Ω
V
CEO （ SUS ）
I
C
= 5毫安，我
B
= 0
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
I
CEX
发射Cuto FF电流
基本特征
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
小信号特性
电流增益带宽积
输出电容
功能测试
放大器的功率增益
收藏家EF网络效率
G
pe
h
V
CC
= 28V ，P
OUT
= 1W ， F = 400MHz的
V
CC
= 20V ，P
OUT
= 1W ， F = 400MHz的
10
45
–
–
–
–
dB
%
f
T
C
敖包
I
C
= 50mA时V
CE
= 15V ， F = 200MHz的
V
CB
= 28V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
800
–
–
–
–
3.0
兆赫
pF
h
FE
V
CE （ SAT ）
I
C
= 50mA时V
CE
= 5V
I
C
= 100mA时我
B
= 20mAQ
25
–
–
–
200
1.0
–
V
I
EBO
I
F
= 100μA ，我
C
= 0
V
CE
= 28V ，我
B
= 0
V
CE
= 30V, V
BE
= -1.5V ，T
C
= +200°C
V
CE
= 55V, V
BE
= –1.5V
V
BE
= 3.5V ，我
C
= 0
55
30
3.5
––
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.02
5.0
0.1
0.1
V
V
V
mA
mA
mA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
