欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

NTE3120 参数 Datasheet PDF下载

NTE3120图片预览
型号: NTE3120
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅NPN光电晶体管探测器 [Silicon NPN Phototransistor Detector]
分类和应用: 晶体光电晶体管光电晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 23 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
 浏览型号NTE3120的Datasheet PDF文件第2页  
NTE3120
硅NPN光电晶体管探测器
产品特点:
D
高灵敏度
D
砷化镓LED的光谱范围广,与砷化镓发光二极管。
D
低暗电流
D
侧视塑料包装
绝对最大额定值:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
发射极 - 集电极电压,V
ECO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流,I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
集电极耗散P
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
工作温度范围,T
OPR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25°C至+ 85°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -30℃ 〜+ 100 ℃的
光电特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
暗电流
光电流
峰值灵敏度波长
验收半角
上升时间
下降时间
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
首席执行官
I
CE (L)的
λ
P
q
t
r
t
f
测试条件
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V , L = 500 1X , 1注
V
CE
= 10V
注2
V
CC
= 10V ,我
CE (L)的
= 5毫安,
R
L
= 100Ω
最小典型最大单位
1
0.01 1.0
3
800
35
4
4
0.2
10
10
0.5
µA
mA
nm
µs
µs
V
V
CE ( SAT )
I
CE (L)的
= 1mA时, L = 1000 1X , 1注
注1.资料来源:钨2856
°K.
注2.角时,光电流减半。