NTE312
N沟道硅结
场效应晶体管
描述：
的NTE312是设计用于甚高频放大器和混频器的应用程序的场效应晶体管。该
NTE312有TO -92封装。
产品特点：
D
高功率增益： 10分贝最小为400MHz
D
高跨导： 4000
μmho
民为400MHz
D
低C
RSS
： 1pF的最大
D
高（Y
fs
) / C
国际空间站
（如下图，优异的高频）比
D
漏极和栅极信息库分离的最大稳定增益
D
交叉调制由平方律转移特性最小化
D
用于VHF放大器调频，电视和移动通信设备
绝对最大额定值：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
漏极 - 栅极电压，V
DG
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
栅源电压，V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –30V
栅极电流，我
G
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
器件总功耗（T
A
= + 25°C ） ，磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 360MW
减免上述+ 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.88mW /°C的
器件总功耗（T
C
= + 25°C ） ，磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500mW的
减免上述+ 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.0mW时/°C的
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
焊接温度，焊接过程中，T （从案例10秒1/16英寸）
L
. . . . . . . . . . . . . . . +260°C
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
