欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

NTE320 参数 Datasheet PDF下载

NTE320图片预览
型号: NTE320
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅NPN RF功率晶体管40W @ 175MHz的 [Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz]
分类和应用: 晶体射频双极晶体管放大器
文件页数/大小: 3 页 / 30 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
 浏览型号NTE320的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTE320的Datasheet PDF文件第3页  
NTE320/NTE320F
NPN硅射频功率晶体管
40W @ 175MHz的
描述:
该NTE320和NTE320F是硅NPN功率晶体管设计的VHF 12.5V大信号
在商业和工业设备的运行300MHz的放大器所需的应用程序。
产品特点:
D
指定12.5V , 175MHz的特点:
输出功率: 40W
最小增益: 4.5分贝
效率: 70 %
D
有两种不同的封装形式:
T72螺柱安装: NTE320
W52K法兰型: NTE320F
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
发射极 - 基极电压,V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
连续集电极电流,I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A
器件总功耗(T
C
= + 25 ° C,注1 ) ,P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 460mW /°C的
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃
梭哈扭矩(仅NTE320 ,注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.5英寸英镑
注意: 1.这些设备是专为RF操作。该器件总功耗额定值适用
仅当设备被操作为射频放大器。
注2:对于反复组装,使用5英寸英镑