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NTE323 参数 Datasheet PDF下载

NTE323图片预览
型号: NTE323
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内容描述: 硅互补晶体管通用 [Silicon Complementary Transistors General Purpose]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 25 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
 浏览型号NTE323的Datasheet PDF文件第2页  
NTE323 ( PNP ) & NTE324 ( NPN )
硅晶体管互补
通用
描述:
的NTE323 (PNP)和NTE324 (NPN)是互补硅外延平面晶体管
TO39型封装设计用作驱动高功率晶体管通用放大器
和开关电路。
绝对最大额定值:
集电极 - 基极电压(I
E
= 0), V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
发射极 - 基极电压(I
C
= 0), V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
集电极电流,I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
基极电流,我
B
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
总功率耗散,P
合计
T
C
= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10W
T
A
= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17.4 ° C / W
热阻,结到环境,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175 ° C / W
电气特性:
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
CEV
测试条件
V
CB
= 120V ,我
E
= 0
V
CE
= 80V ,我
B
= 0
V
CE
= 120V, V
BE
= –1.5V
V
CE
= 120V, V
BE
= -1.5V ,T
C
= +150°C
V
EB
= 4V ,我
C
= 0
I
C
= 250毫安,我
B
= 25毫安,注1
I
C
= 500毫安,我
B
= 50mA时注1
I
C
= 1A ,我
B
=的200mA, 1注
120
典型值
最大单位
1
10
1
1
1
0.6
1.0
2.0
µA
µA
µA
mA
µA
V
V
V
V
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 发射极饱和电压
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
CEO ( SUS )
I
C
= 10毫安,我
B
= 0 , 1​​注
注1:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2%.