NTE3311
绝缘栅双极晶体管
N沟道增强模式,
高速开关
产品特点:
D
高输入阻抗
D
高速
D
低饱和电压
D
增强型
应用范围:
D
高功率开关
D
电机控制
绝对最大Raings :
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
集电极 - 发射极电压,V
CES
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
栅极 - 发射极电压,V
GES
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20V
集电极电流,I
C
DC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25A
脉冲(毫秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50A
集电极耗散功率(T
C
= + 25°C ) ,磷
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
栅极漏电流
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 发射极击穿电压
极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开启时间
下降时间
关断时间
符号
I
GES
I
CES
V
GE (关闭)
V
CE ( SAT )
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
测试条件
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0
V
CE
= 600V, V
GE
= 0
I
C
= 25毫安,V
CE
= 5V
I
C
= 25A ,V
GE
= 15V
V
CE
= 10V, V
GE
= 0中,f = 1MHz的
V
CC
= 300V
民
–
–
600
3.0
–
–
–
–
–
–
典型值
–
–
–
–
3.0
1400
0.30
0.40
0.15
0.50
最大
±500
1.0
–
6.0
4.0
–
0.60
0.80
0.35
1.00
单位
nA
mA
V
V
V
pF
µs
µs
µs
µs
V
( BR ) CES
I
C
= 2毫安,V
GE
= 0