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NTE362 参数 Datasheet PDF下载

NTE362图片预览
型号: NTE362
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内容描述: 硅NPN晶体管射频功率 [Silicon NPN Transistor RF Power]
分类和应用: 晶体射频双极晶体管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 72 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
 浏览型号NTE362的Datasheet PDF文件第2页  
NTE362
硅NPN晶体管
射频功率
描述:
的NTE362是专为7.0至15伏,所需的工业超高频大信号放大器应用
而在400个商业调频设备运行到960MHz的范围内。
产品特点:
D
D
D
D
指定12.5伏, 470MHz的特点输出功率= 2.0瓦
最小增益= 9.0分贝
效率= 60%的最低
RF镇流提供保护,防止设备损坏,由于负载不匹配
绝对最大额定值:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
发射极 - 基极电压,V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
集电极电流连续,我
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.4V
器件总功耗(T
C
= + 25 ° C,注1 ) ,P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0W
存储温度范围,T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−65°
到+ 200℃
双头螺栓扭矩(注2) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.5英寸 - 磅
注意: 1.这些设备是专为RF操作。该器件总功耗额定值适用
仅当设备被操作为射频放大器。
注2:对于重复使用的组件, 5磅。
电气特性:
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
V
( BR ) CEO
I
C
= 50mA时我
B
= 0
V
( BR ) CES
I
C
= 50mA时V
BE
= 0
V
( BR ) EBO
I
E
= 1.0毫安,我
C
= 0
I
CES
I
CBO
V
CE
= 15V, V
BE
= 0, T
C
= +55°C
V
CB
= 15V ,我
E
= 0
16
36
4.0
0.2
10
1.0
V
V
V
mA
符号
测试条件
典型值
最大单位