NTE384
硅NPN晶体管
高压电源放大器/开关
描述：
该NTE384处于TO66封装型多硅外延NPN功率晶体管利用
多发射极的网站结构。多外延建设最大化伏安character-
该设备的信息研究所，并提供快速的开关速度。多发射器设计，确保电流均匀
在整个结构的租金流动，其产生的高我
S / B
和一个大的安全操作区。
该NTE384的特点是用于直接从整流110V电源线操作逆变器。
漏电流被指定在450V ;因此，该设备也可以在一系列的网桥可以使用
配置上220V的线路。在V
EBO
9V评级减轻了驱动变压器的要求
逆变器应用。
产品特点：
D
最大的安全区，即用操作
D
低饱和电压
D
高额定电压： V
CER （ SUS）
= 375V
D
高额定功耗：P
T
= 45W
绝对最大额定值：
集电极 - 基极电压，V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 375V
集电极 - 发射极耐受电压
随着基地开放，V
CEO （ SUS ）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V
与逆向偏压（Ⅴ
BE
） -1.5V ，V的
CEX （ SUS）的
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 375V
与外部基射极电阻（R
BE
)
≤
50Ω, V
CER （ SUS）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 375V
发射极 - 基极电压，V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9V
集电极电流，I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7A
高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10A
连续基极电流，我
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
晶体管耗散（T
C
≤
+ 25 ° C，V
CE
≤
40V ） ，磷
T
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45W
工作结温范围，T
OPR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃
焊接温度（焊接过程中， 1/32英寸（ 0.8毫米）从的情况下，最多10秒） ，T
L
. . . . . . . +230°C
热阻，结到外壳（V
CE
= 20V ，我
C
= 2.25A ）中，R
θJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.9 ° C / W
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
