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NTE395图片预览
型号: NTE395
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内容描述: 硅PNP晶体管宽带线性放大器 [Silicon PNP Transistor Wide Band Linear Amplifier]
分类和应用: 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 23 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
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NTE395
硅PNP晶体管
宽带线性放大器
绝对最大额定值:
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
发射极 - 基极电压,V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
集电极电流,I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
功率耗散(T
A
= + 25°C ) ,磷
合计
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为225mW
功率耗散(T
C
= + 25°C ) ,磷
合计
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 360MW
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 200℃
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 485 ° C / W
热阻,结到环境,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 775 ° C / W
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
静态正向电流传输比
基射极电压
拐点电压
跃迁频率
最大振荡频率
输出电容
符号
I
CBO
测试条件
V
CB
= 15V ,我
E
= 0
30
25
3
20
1.4
典型值
0.75
0.8
2.3
6.5
1.1
最大
50
V
V
GHz的
GHz的
pF
单位
nA
V
V
V
V
( BR ) CBO
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 5毫安,我
B
= 0
V
( BR ) EBO
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
h
21E
V
BE
V
CEK
f
T
f
C
22b
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安,注1
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安
I
C
= 20mA时,注意2
V
CE
= 15V ,我
C
= 10毫安
V
CE
= 15V ,我
C
= 10毫安
V
CB
= 15V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
注1.脉冲。
注2: V
CEK
测试了我
C
= 100毫安我
B
=值我
C
= 110毫安在V
CE
= 1V.