NTE452
硅N沟道JFET晶体管
甚高频放大器，混频器
描述：
该NTE452是硅， N沟道结型场效应tranistor （JFET ）在一个TO72型包DE-
签字在VHF / UHF放大器的耗尽模式中使用。
绝对最大额定值：
漏源电压，V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
漏极 - 栅极电压，V
DG
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
栅源电压，V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
栅极电流，我
G
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
器件总功耗（T
A
= + 25°C ） ，磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.71mW /°C的
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 175℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 175℃
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
开关特性
栅源击穿电压
门反向电流
V
（ BR ） GSS
I
G
= 1μs的时间，V
DS
= 0
I
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS
V
GS （ F）
I
DSS
|Y
fs
|
Y
FS （实）
V
GS
= 20V, V
DS
= 0
V
GS
= 20V, V
DS
= 0, T
A
= +150°C
门源截止电压
栅源电压
门源正向电压
基本特征
（注1 ）
零栅极电压漏极电流
小信号特性
正向转移导纳
正向传输的实部
导纳
V
DS
= 15V, V
GS
= 0 ， F = 1kHz时，注1
V
DS
= 15V, V
GS
= 0中，f = 400MHz的
4500
4000
–
–
7500
μmhos
–
μmhos
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
5
–
15
mA
I
D
= 1nA的，V
DS
= 15V
I
D
= 0.5毫安，V
DS
= 15V
I
G
= 1mA时， V
DS
= 0
30
–
–
–
1.0
–
–
–
–
–
–
–
–
100
200
6
5.5
1.0
V
pA
pA
V
V
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
1%.
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
