NTE455
N沟道硅双栅MOS场效应晶体管
管（MOSFET ）
描述：
该NTE455是一个N沟道硅双栅极MOSFET设计用作在超高频的RF放大器
电视调谐器。该器件特别推荐用于半波长谐振器型调谐器使用。
产品特点：
D
低反向传输电容：C
RSS
= 0.02pF典型值
D
高功率增益：摹
ps
= 18分贝典型值
D
低噪声系数： NF = 3.8分贝典型值
绝对最大额定值：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
漏源电压，V
DSX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
GATE1源电压，V
G1S
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±10V
GATE2源电压，V
G2S
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±10V
漏电流，我
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
总功率耗散，P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200mW的
最大通道温度，T
ch
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
存储温度范围，T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−55°
至+ 125°C
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
零栅极电压漏极电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
功率增益
噪声系数
门源截止电压
门反向电流
漏源击穿电压
符号
I
DSS
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
ps
NF
V
G2S(off)
I
G1SS
I
G2SS
BV
DSX
V
DS
= 0, V
G1S
=
±10V,
V
G2S
= 0
V
DS
= 0, V
G2S
=
±10V,
V
G1S
= 0
V
G1S
= V
G2S
=
−2V,
I
D
= 10µA
测试条件
V
DS
= 10V, V
G2S
= 4V, V
G1S
= 0
V
DS
= 10V, V
G2S
= 4V ，我
D
= 10毫安中，f = 1kHz时
V
DS
= 10V, V
G2S
= 4V ，我
D
= 10毫安， F = 1MHz的
V
DS
= 10V, V
G2S
= 4V ，我
D
= 10毫安， F = 1MHz的
V
DS
= 10V, V
G2S
= 4V ，我
D
= 10毫安， F = 1MHz的
V
DS
= 10V, V
G2S
= 4V ，我
D
= 10毫安中，f = 900MHz的
V
DS
= 10V, V
G2S
= 4V ，我
D
= 10毫安中，f = 900MHz的
民
0.5
18
1.5
0.5
−
15
−
−
−
−
−
20
典型值
−
22
2.0
1.1
18
3.8
−
−
−
−
24
最大单位
8.0
−
3.5
1.5
22
5.5
2.0
−0.7
±20
±20
−
mA
ms
pF
pF
pF
dB
dB
V
V
nA
nA
V
0.02 0.03
V
G1S(off)
V
DS
= 10V, V
G2S
= 4V ，我
D
= 10µA
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
