NTE456
N沟道JFET硅
通用放大器，开关
描述：
的NTE456是在一个TO72型封装的N沟道结硅场效应晶体管的设计
为通用放大器和开关应用。
绝对最大额定值：
漏源电压，V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
汲极门Voltge ，V
DG
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
栅源电压，V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –30V
漏电流，我
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
器件总功耗（T
A
= + 25°C ） ，磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为2mW / ℃，
工作结温，T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C到+ 200℃
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
开关特性
栅源击穿电压
门反向电流
V
（ BR ） GSS
V
DS
= 0, I
G
= –10µA
I
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS
I
DSS
r
DS （ ON）
V
GS
= –15V, V
DS
= 0
V
GS
= –15V, V
DS
= 0, T
A
= +150°C
门源截止电压
栅源电压
基本特征
零栅极电压漏电流
静态漏源导通电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
V
DS
= 0, V
GS
= 0
2.0
–
–
400
6.0
–
mA
Ω
V
DS
= 15V ，我
D
= 0.1nA
V
DS
= 15V ，我
D
= 200µA
–30
–
–
–
–1.0
–
–
–
–
–
–
–0.1
–100
–6
–5.0
V
nA
nA
V
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
