NTE457
硅N沟道JFET晶体管
通用放大器，开关
绝对最大额定值：
漏源电压，V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
漏极 - 栅极电压，V
DG
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
反向栅源电压，V
GSR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25V
栅极电流，我
G
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
器件总功耗（T
A
= + 25°C ） ，磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 310MW
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.82mW /°C的
工作结温，T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
开关特性
栅源击穿电压
门反向电流
V
（ BR ） GS
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
G
= -10μA ，V
DS
= 0
V
GS
= 15V, V
DS
= 0
V
GS
= 15V, V
DS
= 0, T
A
= +100°C
V
DS
= 15V ，我
D
= 10nA的
V
DS
= 15V ，我
D
= 100µA
V
DS
= 15V, V
GS
= 0 ， 1注
V
DS
= 15V, V
GS
= 0 ， F = 1kHz时，
注1
V
DS
= 15V, V
GS
= 0 ， F = 1kHz时，
注1
V
DS
= 15V, V
GS
= 0中，f = 1kHz的
V
DS
= 15V, V
GS
= 0中，f = 1kHz的
–25
–
–
–0.5
–
–
–
–
–
–
–
–1
–200
–6.0
–2.5
V
mA
mA
V
V
I
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS
I
DSS
|y
fs
|
|y
os
|
C
国际空间站
C
RSS
门源截止电压
栅源电压
基本特征
零栅极电压漏极电流
小信号特性
正向转移导纳
常见的来源
输出准入常见的来源
输入电容
反向传输电容
1
3
5
mA
1000
–
–
–
–
10
4.5
1.5
5000
μmhos
50
7.0
3.0
μmhos
pF
pF
注1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
630ms ，占空比
≤
10%.
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