NTE458
N沟道JFET硅
通用型，低噪声，音频放大器
产品特点：
D
非常低噪声
D
低栅电流
绝对最大额定值：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
栅极 - 漏极电压，V
GDO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50V
栅源电压，V
GSO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50V
漏源极电压（V
DS
= –2V), V
DSX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
漏电流，我
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
栅极电流，我
G
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
器件总功耗，P
T
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250mW的
工作结温，T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 125°C
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
门反向电流
零栅极电压漏极电流
栅源电压
正向跨导
输入电容
反向传输电容
噪声频率
符号
I
GSS
I
DSS
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
NF
测试条件
V
GS
= –20V, V
DS
= 0
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.5毫安中，f = 1kHz时
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, R
G
= 1kΩ,
F = 10Hz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, R
G
= 1kΩ,
F = 100Hz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, R
G
= 1kΩ,
F = 1kHz时
噪声电压
NV
I
D
= 0.5毫安，R
G
= 1kΩ,
F = 10Hz至1kHz的（在V
G
= -3dB ）
民
–
0.5
4.0
4.0
–
–
–
–
–
–
典型值
–
3.0
5.2
12
13
2.6
5.0
1.0
0.6
15
最大
–1
12
–
–
–
–
10
3.0
1.5
20
单位
nA
mA
V
姆欧
姆欧
pF
pF
dB
dB
dB
mV
V
GS （ OFF ）
V
DS
= 10V ，我
D
= 10µA
–0.13 –0.5 –1.5
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
