NTE464 （P -CH） & NTE465 （ N-CH ）
硅互补MOSFET晶体管
针对开关应用增强模式
绝对最大额定值：
漏源电压，V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
漏极 - 栅极电压，V
DG
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
栅源电压，V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±30V
栅极电流，我
G
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
器件总功耗（T
A
= + 25°C ） ，磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.7MW /°C的
器件总功耗（T
C
= + 25°C ） ，磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800mW的
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.56mW /°C的
工作结温，T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 175℃
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏电流
V
（ BR ） DSX
I
D
= -10μA ，V
GS
= 0
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
I
D（上）
V
DS
= –10V, V
GS
= 0, T
A
= +25°C
V
DS
= –10V, V
GS
= 0, T
A
= +150°C
门反向电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源电压
通态漏电流
V
DS
= -10V ，我
D
= –10µA
I
D
= -2mA ，V
GS
= –10V
V
GS
= –10V, V
DS
= –10V
–1
–
–3
–
–
–
–5
–1
–
V
V
mA
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0
–25
–
–
–
–
–
–
–
–
–10
–10
±10
V
nA
µA
pA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
