NTE466
硅N沟道JFET晶体管
菜刀，高速开关
绝对最大额定值：
漏源电压，V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
漏极 - 栅极电压，V
DG
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
反向栅源电压，V
GSR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40V
正向栅电流，I
G（ F）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
器件总功耗（T
A
= + 25°C ） ，磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 360MW
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4mW /°C的
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 175℃
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
开关特性
栅源击穿电压
门反向电流
V
（ BR ） GSS
I
G
= 1A ，V
DS
= 0
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
D（关闭）
V
GS
= –20V, V
DS
= 0
V
GS
= –20V, V
DS
= 0, T
A
= +150°C
门源截止电压
排水截止电流
V
DS
= 15V ，我
D
= 0.5nA
V
DS
= 15V, V
GS
= –10V
V
DS
= 15V, V
GS
= ± 10V ，T
A
= +150°C
基本特征
零栅极电压漏电流
漏源电压
小信号特性
漏源“ ON”电阻
输入电容
反向传输电容
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断时间
t
D（上）
t
r
t
关闭
V
DD
= 10V ，我
D（上）
= 20mA时，
V
GS （ ON）
= 0, V
GS （ OFF ）
= –10V
–
–
–
–
–
–
6
3
25
ns
ns
ns
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
V
GS
= 0, I
D
= 0中，f = 1kHz的
V
DS
= 0, V
GS
= -10V ， F = 1MHz的
V
DS
= 0, V
GS
= -10V ， F = 1MHz的
–
–
–
–
–
–
25
18
0.8
Ω
pF
pF
I
DSS
V
DS （ ON）
V
DS
= 15V, V
GS
= 0 ， 1注
I
D
= 20mA时， V
GS
= 0
50
–
–
–
–
0.75
mA
V
–40
–
–
–4
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.25
0.5
–10
0.25
0.5
V
nA
µA
V
nA
µA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注1.脉冲测试：脉冲宽度= 100ms时，占空比
≤
10%.
注2.我
D（上）
值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
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