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NTE480图片预览
型号: NTE480
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内容描述: 硅NPN晶体管射频输出功率宽带放大器, PO = 40W @ 512MHz [Silicon NPN Transistor RF Power Output for Broadband Amp, PO = 40W @ 512MHz]
分类和应用: 晶体放大器晶体管射频
文件页数/大小: 2 页 / 25 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
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NTE480
硅NPN晶体管
RF输出功率宽带放大器,
P
O
= 40W @ 512MHz
描述:
该NTE480是专为宽带12.5伏的外延硅NPN共发射极晶体管
应用在450至512MHz的陆地移动无线电频带。该器件采用扩散emitter电阻
器承受的工作条件下的无限的VSWR。
产品特点:
D
专为UHF商用设备
D
与38W大于5.8分贝增益
D
可承受20 : 1 VSWR最小,所有相位角
D
调Q技术
D
扩散发射极电阻
绝对最大额定值:
(T
C
= + 25°C ,除非othrwise指定)
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V
发射极 - 基极电压,V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
最大集电极电流,I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A
器件总功耗(在+ 25 ° C) ,P
合计
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117W
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 ° C / W
电气特性:
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
STATIC
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
I
C
= 50mA时我
B
= 0 , 1​​注
V
( BR ) CES
I
C
= 15毫安,V
BE
= 0 , 1​​注
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
V
( BR ) EBO
I
E
= 5毫安,我
C
= 0
I
CES
h
FE
V
CE
= 12.5V, V
BE
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 1A
16
36
4
20
5
V
V
V
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
注1.脉冲通过25mH指标。