NTE492
MOSFET
N沟道，增强模式
高速开关
绝对最大额定值：
漏源电压，V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
栅源电压，V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20V
漏电流，我
D
连续（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
脉冲（注2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
器件总功耗（T
A
= + 25°C ） ，磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为350mW
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.8mW时/°C的
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
注意包1.功率耗散可导致较低的连续漏极电流。
注2：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
开关特性
零栅极电压漏电流
漏源击穿电压
门反向电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
静态漏源Resist-
ANCE
小信号特性
输入电容
反向传输电容
输出电容
正向跨导
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
g
fs
V
DS
= 25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 25V ，我
D
= 250毫安
–
–
–
60
6.0
30
–
–
–
–
pF
pF
pF
毫姆欧
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 250毫安
1.0
–
–
–
4.5
4.8
3.0
6.0
6.4
V
Ω
Ω
I
DSS
I
GSS
V
DS
= 130V, V
GS
= 0
V
GS
= 15V, V
DS
= 0
–
200
–
–
–
30
–
nA
V
nA
V
（ BR ） DSX
V
GS
= 0, I
D
= 100µA
符号
测试条件
最小典型最大
单位
0.01 10.0
200 400
注2：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
