NTE5679
TRIAC - 600V ， 40A
描述
该NTE5679可控硅可以是从一个阻塞到导通状态为任一极性的栅极触发
施加电压与被设计成AC开关和相位控制应用，如速度和
温度调节控制，照明控制和静态开关继电器。该触发信号
栅极和MT之间通常施加
1
.
电气特性：
（所有测量都是在T
A
= + 25°C ，60赫兹带电阻性负载，除非
另有规定）
重复峰值阻断电压（注1 ） ，V
DRM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
RMS通态电流（ 360° ，T导通角
C
= 0° 〜+ 125 ℃） ，余
T（ RMS ）
. . . . . . . . . . . . 40A
峰值断态电流（V
DRM
= 600V ，门打开，注1 ） ，我
DRM
T
C
= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
T
C
= + 125°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
峰值单周期浪涌电流，I
TSM
50赫兹。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 335A
60赫兹。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400A
不重复RMS浪涌通态电流的熔断（我
GT
= 500毫安， 8.3ms的） ，我
2
吨。 。 。 。 664A
2
美国证券交易委员会
最大直流栅极触发电流（V
D
= 12V ，四I ， II ， III ） ，我
GT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
最大直流栅极触发电压（V
D
= 12V ，四I ， II，III 。注2 ），V
GT
T
C
= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5V
T
C
= + 125°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.2V
峰值通态电压（I
T（ RMS ）
= 40A ，T
C
= + 25 ° C，注1 ） ，V
TM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8V
直流保持电流（门打开，注1 ，注3 ） ，我
H
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120毫安
峰值门极触发电流（脉冲宽度
≤
为10μs ） ，我
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
栅极峰值功率耗散（脉冲宽度
≤
为10μs ） ，磷
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W
平均门功耗，P
G（ AV ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800mW的
断态电压上升的最小临界速度（V
DRM
= 600V ，门打开，注1 ） ， dv / dt的
T
C
= + 100°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 375V / μs的
T
C
= + 125°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250V / μs的
整流电压（注1 ） ， dv / dt的崛起最小暴击率
(c)
(V
DRM
= 600V ，我
T（ RMS ）
= 40A ，整流的di / dt = 21.6A /毫秒，门未通电） 4V / μs的
更改通态电流的最大速率（I
GT
=的200mA，上升时间=为0.1μs ） ， di / dt的。 150A / μs的
最大栅控导通时间（我
GT
= 500毫安，上升时间=为0.1μs ） ，T
gt
. . . . . . . . . . . . 5µs
工作温度范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 °C至+ 125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20 °C至+ 125°C
注意事项1.对于MT的任一极性
2
参照MT的
1
终奌站。
注2：对于栅极电压的任一极性（V
GT
）参照MT的
1
终奌站。
注3.初始通态电流= 400毫安（ DC ） 。
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
